Samsung Semiconductor K4D551638F-LC60
- 收藏
- 对比
K4D551638F-LC60
2107-K4D551638F-LC60
无类别的
--
大陆
立即发货

K4D551638F-LC60 datasheet pdf and Unclassified product details from Samsung Semiconductor stock available at utmel
1最小包装量--
K4D551638F-LC60详情
Samsung Semiconductor K4D551638F-LC60重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
66
Package Description
TSSOP, TSSOP66,.46
Package Style
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
Moisture Sensitivity Levels
3
Number of Words Code
16000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
TSSOP66,.46
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
65 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
K4D551638F-LC60
Clock Frequency-Max (fCLK)
166 MHz
Number of Words
16777216 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
2.5 V
Package Code
TSSOP
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
三星半导体
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Risk Rank
5.84
无铅代码
有
子类别
DRAMs
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
端子间距
0.635 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PDSO-G66
资历状况
不合格
电源
2.5 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电流-最大值
0.35 mA
组织结构
16MX16
输出特性
3-STATE
内存宽度
16
记忆密度
268435456 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DDR DRAM
刷新周期
8192
顺序突发长度
2,4,8
交错突发长度
2,4,8
K4D551638F-LC60拓展信息







哦! 它是空的。