Samsung Semiconductor K4H510838J-BCB30
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K4H510838J-BCB30
2107-K4H510838J-BCB30
集成电路(IC)
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TBGA, BGA60,9X12,40/32
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K4H510838J-BCB30详情
Samsung Semiconductor K4H510838J-BCB30重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
60
Manufacturer Part Number
K4H510838J-BCB30
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Part Package Code
BGA
Package Description
TBGA, BGA60,9X12,40/32
Risk Rank
5.82
Access Time-Max
0.7 ns
Clock Frequency-Max (fCLK)
166 MHz
Number of Words
67108864 words
Number of Words Code
64000000
Operating Temperature-Max
70 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
TBGA
Package Equivalence Code
BGA60,9X12,40/32
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
GRID ARRAY, THIN PROFILE
Supply Voltage-Nom (Vsup)
2.5 V
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.28
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
1 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
60
JESD-30代码
R-PBGA-B60
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
2.7 V
电源
2.5 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.3 V
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.18 mA
组织结构
64MX8
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
8
待机电流-最大值
0.005 A
记忆密度
536870912 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DDR DRAM
刷新周期
8192
顺序突发长度
2,4,8
交错突发长度
2,4,8
访问模式
四库页面突发
自我刷新
YES
长度
12 mm
宽度
9 mm
K4H510838J-BCB30拓展信息
Samsung Semiconductor
Samsung Electro-Mechanics
Samsung Semiconductor
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Samsung Semiconductor
Samsung Semiconductor
Samsung Electro-Mechanics
Samsung Electro-Mechanics
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