Samsung Semiconductor K4M28163LF-RS75
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K4M28163LF-RS75
2107-K4M28163LF-RS75
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K4M28163LF-RS75详情
Samsung Semiconductor K4M28163LF-RS75重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
54
Package Style
GRID ARRAY, FINE PITCH
Number of Words Code
8000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
BGA54,9X9,32
Operating Temperature-Min
-25 °C
Access Time-Max
5.4 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
K4M28163LF-RS75
Clock Frequency-Max (fCLK)
133 MHz
Number of Words
8388608 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
2.5 V
Package Code
FBGA
Package Shape
SQUARE
Manufacturer
三星半导体
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Risk Rank
5.83
JESD-609代码
e0
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
子类别
DRAMs
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
S-PBGA-B54
资历状况
不合格
电源
2.5 V
温度等级
OTHER
电源电流-最大值
0.155 mA
组织结构
8MX16
输出特性
3-STATE
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.0005 A
记忆密度
134217728 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
同步剧
刷新周期
4096
顺序突发长度
1,2,4,8,FP
交错突发长度
1,2,4,8
K4M28163LF-RS75拓展信息







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