Samsung Semiconductor K4N51163QE-ZC20
- 收藏
- 对比
K4N51163QE-ZC20
2107-K4N51163QE-ZC20
无类别的
--
大陆
立即发货

K4N51163QE-ZC20 datasheet pdf and Unclassified product details from Samsung Semiconductor stock available at utmel
--最小包装量--
K4N51163QE-ZC20详情
Samsung Semiconductor K4N51163QE-ZC20重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
84
Package Description
FBGA, BGA84,9X15,32
Package Style
GRID ARRAY, FINE PITCH
Moisture Sensitivity Levels
1
Number of Words Code
32000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
BGA84,9X15,32
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
0.35 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
K4N51163QE-ZC20
Clock Frequency-Max (fCLK)
500 MHz
Number of Words
33554432 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Package Code
FBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
三星半导体
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Risk Rank
5.84
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
端子表面处理
哑光锡
子类别
DRAMs
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PBGA-B84
资历状况
不合格
电源
1.8 V
温度等级
OTHER
电源电流-最大值
0.34 mA
组织结构
32MX16
输出特性
3-STATE
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.008 A
记忆密度
536870912 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
高速缓冲存储器模块
刷新周期
8192
顺序突发长度
4,8
交错突发长度
4,8
K4N51163QE-ZC20拓展信息







哦! 它是空的。