K4N51163QE-ZC20
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Samsung Semiconductor K4N51163QE-ZC20

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型号

K4N51163QE-ZC20

utmel 编号

2107-K4N51163QE-ZC20

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

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ROHS

ECAD

简介

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K4N51163QE-ZC20 Samsung Semiconductor

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K4N51163QE-ZC20详情

Samsung Semiconductor K4N51163QE-ZC20重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    84

  • Package Description

    FBGA, BGA84,9X15,32

  • Package Style

    GRID ARRAY, FINE PITCH

  • Moisture Sensitivity Levels

    1

  • Number of Words Code

    32000000

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Equivalence Code

    BGA84,9X15,32

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Access Time-Max

    0.35 ns

  • Operating Temperature-Max

    85 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    K4N51163QE-ZC20

  • Clock Frequency-Max (fCLK)

    500 MHz

  • Number of Words

    33554432 words

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    1.8 V

  • Package Code

    FBGA

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    三星半导体

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

  • Risk Rank

    5.84

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

  • 端子表面处理

    哑光锡

  • 子类别

    DRAMs

  • 技术

    CMOS

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    BALL

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    225

  • 端子间距

    0.8 mm

  • Reach合规守则

    compliant

  • JESD-30代码

    R-PBGA-B84

  • 资历状况

    不合格

  • 电源

    1.8 V

  • 温度等级

    OTHER

  • 电源电流-最大值

    0.34 mA

  • 组织结构

    32MX16

  • 输出特性

    3-STATE

  • 内存宽度

    16

  • 待机电流-最大值

    0.008 A

  • 记忆密度

    536870912 bit

  • I/O类型

    COMMON

  • 内存IC类型

    高速缓冲存储器模块

  • 刷新周期

    8192

  • 顺序突发长度

    4,8

  • 交错突发长度

    4,8

0个相似型号

K4N51163QE-ZC20拓展信息

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
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