Samsung Semiconductor K4S28163LD-BL75
- 收藏
- 对比
K4S28163LD-BL75
2107-K4S28163LD-BL75
无类别的
--
大陆
立即发货

K4S28163LD-BL75 datasheet pdf and Unclassified product details from Samsung Semiconductor stock available at utmel
1最小包装量--
K4S28163LD-BL75详情
Samsung Semiconductor K4S28163LD-BL75重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
54
Package Description
VFBGA, BGA54,9X9,32
Package Style
GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
Moisture Sensitivity Levels
3
Number of Words Code
8000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
BGA54,9X9,32
Operating Temperature-Min
-25 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
5.4 ns
Operating Temperature-Max
70 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
K4S28163LD-BL75
Clock Frequency-Max (fCLK)
133 MHz
Number of Words
8388608 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
2.5 V
Package Code
VFBGA
Package Shape
SQUARE
Manufacturer
三星半导体
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Risk Rank
5.83
Part Package Code
BGA
ECCN 代码
EAR99
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.02
子类别
DRAMs
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
54
JESD-30代码
S-PBGA-B54
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
2.7 V
电源
1.8/2.5,2.5 V
温度等级
OTHER
电源电压-最小值(Vsup)
2.3 V
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.155 mA
组织结构
8MX16
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1 mm
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.0005 A
记忆密度
134217728 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
同步剧
刷新周期
4096
顺序突发长度
1,2,4,8,FP
交错突发长度
1,2,4,8
访问模式
四库页面突发
自我刷新
YES
宽度
8 mm
长度
8 mm
K4S28163LD-BL75拓展信息







哦! 它是空的。