Samsung Semiconductor K4S643233F-SE75
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K4S643233F-SE75
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K4S643233F-SE75详情
Samsung Semiconductor K4S643233F-SE75重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
90
Package Description
LFBGA, BGA90,9X15,32
Package Style
GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
Number of Words Code
2000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
BGA90,9X15,32
Operating Temperature-Min
-25 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
5.4 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
K4S643233F-SE75
Clock Frequency-Max (fCLK)
133 MHz
Number of Words
2097152 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3 V
Package Code
LFBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
三星半导体
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Risk Rank
5.91
Part Package Code
BGA
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.02
子类别
DRAMs
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
90
JESD-30代码
R-PBGA-B90
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
电源
3/3.3 V
温度等级
OTHER
电源电压-最小值(Vsup)
2.7 V
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.135 mA
组织结构
2MX32
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.4 mm
内存宽度
32
待机电流-最大值
0.0005 A
记忆密度
67108864 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
同步剧
刷新周期
4096
顺序突发长度
1,2,4,8,FP
交错突发长度
1,2,4,8
访问模式
四库页面突发
自我刷新
YES
宽度
11 mm
长度
13 mm
K4S643233F-SE75拓展信息







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