Samsung Semiconductor K4T1G044QF-BCE6
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K4T1G044QF-BCE6
2107-K4T1G044QF-BCE6
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K4T1G044QF-BCE6详情
Samsung Semiconductor K4T1G044QF-BCE6重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
60
Package Description
FBGA, BGA60,9X11,32
Package Style
GRID ARRAY, FINE PITCH
Moisture Sensitivity Levels
3
Number of Words Code
256000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
BGA60,9X11,32
Reflow Temperature-Max (s)
40
Access Time-Max
0.45 ns
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
K4T1G044QF-BCE6
Clock Frequency-Max (fCLK)
333 MHz
Number of Words
268435456 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Package Code
FBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
三星半导体
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Risk Rank
5.29
JESD-609代码
e1
端子表面处理
锡银铜
子类别
DRAMs
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PBGA-B60
资历状况
不合格
电源
1.8 V
电源电流-最大值
0.141 mA
组织结构
256MX4
输出特性
3-STATE
内存宽度
4
记忆密度
1073741824 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DDR DRAM
刷新周期
8192
顺序突发长度
4,8
交错突发长度
4,8
K4T1G044QF-BCE6拓展信息







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