Samsung Semiconductor K4T51163QG-HDE60
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K4T51163QG-HDE60
2107-K4T51163QG-HDE60
集成电路(IC)
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TFBGA, BGA84,9X15,32
1最小包装量--
K4T51163QG-HDE60详情
Samsung Semiconductor K4T51163QG-HDE60重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
84
Manufacturer Part Number
K4T51163QG-HDE60
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Part Package Code
BGA
Package Description
TFBGA, BGA84,9X15,32
Risk Rank
5.71
Access Time-Max
0.45 ns
Clock Frequency-Max (fCLK)
333 MHz
Moisture Sensitivity Levels
3
Number of Words
33554432 words
Number of Words Code
32000000
Operating Temperature-Max
95 °C
Operating Temperature-Min
-40 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
TFBGA
Package Equivalence Code
BGA84,9X15,32
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
JESD-609代码
e1
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.28
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
84
JESD-30代码
R-PBGA-B84
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
1.9 V
电源
1.8 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.7 V
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.235 mA
组织结构
32MX16
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.005 A
记忆密度
536870912 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DDR DRAM
刷新周期
8192
顺序突发长度
4,8
交错突发长度
4,8
访问模式
四库页面突发
自我刷新
YES
长度
12.5 mm
宽度
7.5 mm
K4T51163QG-HDE60拓展信息
Samsung Semiconductor
Samsung Electro-Mechanics
Samsung Semiconductor
Samsung Electro-Mechanics
Samsung Semiconductor
Samsung Semiconductor
Samsung Electro-Mechanics
Samsung Electro-Mechanics
Samsung Electro-Mechanics
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