K4T51163QQ-BCF80
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Samsung Semiconductor K4T51163QQ-BCF80

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型号

K4T51163QQ-BCF80

utmel 编号

2107-K4T51163QQ-BCF80

商品类别

集成电路(IC)

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

VFBGA,

起订量

1最小包装量--

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K4T51163QQ-BCF80
K4T51163QQ-BCF80 Samsung Semiconductor VFBGA,

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K4T51163QQ-BCF80详情

Samsung Semiconductor K4T51163QQ-BCF80重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    84

  • Manufacturer Part Number

    K4T51163QQ-BCF80

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

  • Package Description

    VFBGA,

  • Risk Rank

    5.71

  • Access Time-Max

    0.35 ns

  • Number of Words

    33554432 words

  • Number of Words Code

    32000000

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Code

    VFBGA

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    1.8 V

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • JESD-609代码

    e1

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

  • 附加功能

    AUTO/SELF REFRESH

  • HTS代码

    8542.32.00.28

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    BALL

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    0.8 mm

  • Reach合规守则

    compliant

  • JESD-30代码

    R-PBGA-B84

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    1.9 V

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    1.7 V

  • 端口的数量

    1

  • 操作模式

    SYNCHRONOUS

  • 组织结构

    32MX16

  • 座位高度-最大

    1 mm

  • 内存宽度

    16

  • 记忆密度

    536870912 bit

  • 内存IC类型

    DDR DRAM

  • 访问模式

    四库页面突发

  • 自我刷新

    YES

  • 长度

    12.5 mm

  • 宽度

    7.5 mm

0个相似型号

K4T51163QQ-BCF80拓展信息

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