Samsung Semiconductor K6T8008C2M-TF55
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K6T8008C2M-TF55
2107-K6T8008C2M-TF55
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K6T8008C2M-TF55详情
Samsung Semiconductor K6T8008C2M-TF55重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
44
Package Description
TSOP2, TSOP44,.46,32
Package Style
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
Number of Words Code
1000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
TSOP44,.46,32
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
55 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
K6T8008C2M-TF55
Number of Words
1048576 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Package Code
TSOP2
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
三星半导体
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Risk Rank
5.92
Part Package Code
TSOP2
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
3A991.B.2.A
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8542.32.00.41
子类别
SRAMs
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
44
JESD-30代码
R-PDSO-G44
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
电源
5 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.07 mA
组织结构
1MX8
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
8
记忆密度
8388608 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
标准SRAM
待机电压-最小值
2 V
宽度
10.16 mm
长度
18.41 mm
K6T8008C2M-TF55拓展信息







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