Samsung Semiconductor K6X1008T2D-TB85

表面安装

YES

终端数量

32

Package Description

TSSOP, TSSOP32,.8,20

Package Style

SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH

Number of Words Code

128000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

TSSOP32,.8,20

Access Time-Max

85 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

K6X1008T2D-TB85

Number of Words

131072 words

Package Code

TSSOP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

三星半导体

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

Risk Rank

5.88

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

子类别

SRAMs

技术

CMOS

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

端子间距

0.5 mm

JESD-30代码

R-PDSO-G32

资历状况

不合格

电源

3/3.3 V

温度等级

COMMERCIAL

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.02 mA

组织结构

128KX8

输出特性

3-STATE

内存宽度

8

记忆密度

1048576 bit

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

标准SRAM

待机电压-最小值

2 V

达到SVHC

compliant