Samsung Semiconductor K7I321882M-FC20
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K7I321882M-FC20
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K7I321882M-FC20详情
Samsung Semiconductor K7I321882M-FC20重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
165
Part Package Code
BGA
Risk Rank
5.47
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Part Life Cycle Code
Obsolete
Manufacturer
三星半导体
Package Shape
RECTANGULAR
Package Code
LBGA
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Number of Words
2097152 words
Clock Frequency-Max (fCLK)
200 MHz
Manufacturer Part Number
K7I321882M-FC20
Rohs Code
无
Operating Temperature-Max
70 °C
Access Time-Max
0.45 ns
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Package Equivalence Code
BGA165,11X15,40
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Number of Words Code
2000000
Package Style
GRID ARRAY, LOW PROFILE
Package Description
LBGA, BGA165,11X15,40
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
3A991.B.2.A
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
流水线结构
HTS代码
8542.32.00.41
子类别
SRAMs
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
1 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
165
JESD-30代码
R-PBGA-B165
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
1.9 V
电源
1.5/1.8,1.8 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.7 V
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.47 mA
组织结构
2MX18
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.4 mm
内存宽度
18
待机电流-最大值
0.18 A
记忆密度
37748736 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DDR SRAM
待机电压-最小值
1.7 V
长度
17 mm
宽度
15 mm
K7I321882M-FC20拓展信息







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