Samsung Semiconductor K7M801825M-QC85
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K7M801825M-QC85
2107-K7M801825M-QC85
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K7M801825M-QC85详情
Samsung Semiconductor K7M801825M-QC85重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
100
Package Description
QFP, QFP100,.63X.87
Package Style
FLATPACK
Moisture Sensitivity Levels
3
Number of Words Code
512000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
QFP100,.63X.87
Reflow Temperature-Max (s)
40
Access Time-Max
8.5 ns
Operating Temperature-Max
70 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
K7M801825M-QC85
Clock Frequency-Max (fCLK)
100 MHz
Number of Words
524288 words
Package Code
QFP
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
三星半导体
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Risk Rank
5.88
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
子类别
SRAMs
技术
CMOS
端子位置
QUAD
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
端子间距
0.635 mm
JESD-30代码
R-PQFP-G100
资历状况
不合格
电源
2.5/3.3,3.3 V
温度等级
COMMERCIAL
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.28 mA
组织结构
512KX18
输出特性
3-STATE
内存宽度
18
待机电流-最大值
0.03 A
记忆密度
9437184 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
ZBT SRAM
待机电压-最小值
3.14 V
达到SVHC
unknown
K7M801825M-QC85拓展信息







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