Samsung Semiconductor K8S3215ETF-HE7C
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K8S3215ETF-HE7C
2107-K8S3215ETF-HE7C
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K8S3215ETF-HE7C详情
Samsung Semiconductor K8S3215ETF-HE7C重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
44
Package Style
GRID ARRAY, FINE PITCH
Moisture Sensitivity Levels
3
Number of Words Code
2000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
BGA44,8X14,20
Operating Temperature-Min
-25 °C
Access Time-Max
70 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
K8S3215ETF-HE7C
Number of Words
2097152 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Package Code
FBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
三星半导体
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Risk Rank
5.84
JESD-609代码
e2
类型
NOR型号
端子表面处理
Tin/Silver/Copper/Nickel (Sn/Ag/Cu/Ni)
子类别
闪存
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
端子间距
0.5 mm
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PBGA-B44
资历状况
不合格
电源
1.8 V
温度等级
OTHER
电源电流-最大值
0.07 mA
组织结构
2MX16
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.00005 A
记忆密度
33554432 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
FLASH
数据轮询
YES
拨动位
YES
命令用户界面
YES
扇区/尺寸数
8,63
行业规模
4K,32K
准备就绪/忙碌
YES
引导模块
TOP
通用闪存接口
YES
K8S3215ETF-HE7C拓展信息







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