Samsung Semiconductor K9F5616Q0C-DIB0
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K9F5616Q0C-DIB0
2107-K9F5616Q0C-DIB0
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K9F5616Q0C-DIB0详情
Samsung Semiconductor K9F5616Q0C-DIB0重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
63
Package Description
VFBGA, BGA63,10X12,32
Package Style
GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
Number of Words Code
16000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
BGA63,10X12,32
Operating Temperature-Min
-40 °C
Access Time-Max
30 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Manufacturer Part Number
K9F5616Q0C-DIB0
Number of Words
16777216 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Package Code
VFBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
三星半导体
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Risk Rank
5.84
Part Package Code
BGA
ECCN 代码
3A991.B.1.A
HTS代码
8542.32.00.51
子类别
闪存
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
63
JESD-30代码
R-PBGA-B63
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
1.95 V
电源
1.8 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.65 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.015 mA
组织结构
16MX16
座位高度-最大
1 mm
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.00005 A
记忆密度
268435456 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
FLASH
编程电压
1.8 V
数据轮询
NO
拨动位
NO
命令用户界面
YES
扇区/尺寸数
2K
行业规模
8K
页面尺寸
256 words
准备就绪/忙碌
YES
宽度
9 mm
长度
11 mm
K9F5616Q0C-DIB0拓展信息







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