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Samsung Semiconductor KSE13007

Name: KSE13007
Brand: Samsung Semiconductor
SKU: 2107-KSE13007
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

KSE13007

品牌

Samsung Semiconductor

utmel 编号

2107-KSE13007

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Description: Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN

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KSE13007 Samsung Semiconductor Description: Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN

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KSE13007详情

技术参数

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Samsung Semiconductor KSE13007重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

NO
终端数量

3
晶体管元件材料

SILICON
外壳材料

1
Operating Temperature-Max

150 °C
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Package Shape

RECTANGULAR
Package Style

FLANGE MOUNT
Transition Frequency-Nom (fT)

4 MHz
Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Part Package Code

SFM
Ihs Manufacturer

SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Part Life Cycle Code

Transferred
ECCN 代码

EAR99
端子位置

SINGLE
终端形式

THROUGH-HOLE
Reach合规守则

unknown
引脚数量

3
JESD-30代码

R-PSFM-T3
资历状况

不合格
配置

SINGLE
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

NPN
JEDEC-95代码

TO-220AB
最大耗散功率(Abs)

80 W
集电极电流-最大值(IC)

8 A
最小直流增益（hFE）

5
集电极-发射器电压-最大值

400 V

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KSE13007拓展信息

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