Samsung Semiconductor M312L6420DT0-CA0
- 收藏
- 对比
M312L6420DT0-CA0
2107-M312L6420DT0-CA0
集成电路(IC)
--
大陆
立即发货

M312L6420DT0-CA0 datasheet pdf and Integrated Circuits (ICs) product details from Samsung Semiconductor stock available at utmel
1最小包装量--
M312L6420DT0-CA0详情
Samsung Semiconductor M312L6420DT0-CA0重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
184
Manufacturer Part Number
M312L6420DT0-CA0
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Part Package Code
DIMM
Package Description
DIMM, DIMM184
Risk Rank
5.87
Access Time-Max
0.8 ns
Clock Frequency-Max (fCLK)
100 MHz
Moisture Sensitivity Levels
1
Number of Words
67108864 words
Number of Words Code
64000000
Operating Temperature-Max
70 °C
Package Body Material
UNSPECIFIED
Package Code
DIMM
Package Equivalence Code
DIMM184
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
微电子组件
Supply Voltage-Nom (Vsup)
2.5 V
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
ECCN 代码
EAR99
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.36
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
184
JESD-30代码
R-XDMA-N184
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
2.7 V
电源
2.5 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.3 V
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
3.24 mA
组织结构
64MX72
输出特性
3-STATE
内存宽度
72
待机电流-最大值
1.12 A
记忆密度
4831838208 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DDR内存模块
刷新周期
8192
访问模式
四库页面突发
自我刷新
YES
M312L6420DT0-CA0拓展信息
Samsung Semiconductor
Samsung Electro-Mechanics
Samsung Semiconductor
Samsung Electro-Mechanics
Samsung Semiconductor
Samsung Semiconductor
Samsung Electro-Mechanics
Samsung Electro-Mechanics
Samsung Electro-Mechanics
Samsung Electro-Mechanics







哦! 它是空的。