Samsung Semiconductor M470L6524FL0-CB3
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M470L6524FL0-CB3
2107-M470L6524FL0-CB3
集成电路(IC)
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DIMM, DIMM200,24
1最小包装量--
M470L6524FL0-CB3详情
Samsung Semiconductor M470L6524FL0-CB3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
200
Manufacturer Part Number
M470L6524FL0-CB3
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Part Package Code
SODIMM
Package Description
DIMM, DIMM200,24
Risk Rank
5.84
Access Time-Max
0.7 ns
Clock Frequency-Max (fCLK)
166 MHz
Moisture Sensitivity Levels
3
Number of Words
33554432 words
Number of Words Code
32000000
Operating Temperature-Max
70 °C
Package Body Material
UNSPECIFIED
Package Code
DIMM
Package Equivalence Code
DIMM200,24
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
微电子组件
Supply Voltage-Nom (Vsup)
2.5 V
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
ECCN 代码
EAR99
附加功能
AUTO/SELF REFRESH; SEATED HGT-NOM; WD-MAX
HTS代码
8542.32.00.28
端子位置
ZIG-ZAG
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
0.6 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
200
JESD-30代码
R-XZMA-N200
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
2.7 V
电源
2.5 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.3 V
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
1.7 mA
组织结构
32MX16
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
31.75 mm
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.04 A
记忆密度
536870912 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DDR内存模块
刷新周期
8192
访问模式
双库页面突发
自我刷新
YES
长度
67.6 mm
宽度
3.8 mm
M470L6524FL0-CB3拓展信息
Samsung Semiconductor
Samsung Electro-Mechanics
Samsung Semiconductor
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Samsung Electro-Mechanics
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