Samsung Semiconductor MJD127-1
- 收藏
- 对比
MJD127-1
2107-MJD127-1
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
--
大陆
立即发货

Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, IPAK-3
1最小包装量--
MJD127-1详情
Samsung Semiconductor MJD127-1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Package Description
IN-LINE, R-PSIP-T3
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
IN-LINE
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
HTS代码
8541.29.00.95
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSIP-T3
资历状况
不合格
配置
DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
极性/通道类型
PNP
最大耗散功率(Abs)
20 W
集电极电流-最大值(IC)
8 A
最小直流增益(hFE)
100
集电极-发射器电压-最大值
100 V
VCEsat-最大值
4 V
集电极-基极电容-最大值
300 pF
环境耗散-最大值
20 W
MJD127-1拓展信息
Samsung
Samsung
Samsung
Samsung
Samsung
Samsung
Samsung
Samsung
Samsung
Samsung







哦! 它是空的。