Samsung Semiconductor TCSCN1V475KDAR
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TCSCN1V475KDAR
2107-TCSCN1V475KDAR
钽电容器
Molded
大陆
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TCSCN1V475KDAR datasheet pdf and Tantalum Capacitors product details from Samsung Semiconductor stock available at utmel
1最小包装量--
TCSCN1V475KDAR详情
Samsung Semiconductor TCSCN1V475KDAR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
24 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
Molded
Operating Temperature (Max)
125°C
Operating Temperature (Min)
-55°C
Voltage - Rated
35V
已出版
2010
容差
10%
零件状态
活跃
终端
SMD/SMT
电容量
4.7μF
深度
4.3mm
ESR(等效串联电阻)
1.5Ohm
极性
Polar
耗散因数
6 %
漏电流
1.6μA
高度
2.8mm
长度
7.3mm
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
TCSCN1V475KDAR拓展信息
Samsung Electro-Mechanics
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