Samsung Semiconductor TCSCN1V685MDAR
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TCSCN1V685MDAR
2107-TCSCN1V685MDAR
钽电容器
Molded
大陆
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TCSCN1V685MDAR datasheet pdf and Tantalum Capacitors product details from Samsung Semiconductor stock available at utmel
1最小包装量--
TCSCN1V685MDAR详情
Samsung Semiconductor TCSCN1V685MDAR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
Molded
表面安装
YES
端子形状
WRAPAROUND
越来越多的功能
SURFACE MOUNT
介电材料
TANTALUM (DRY/SOLID)
包装
Tape & Reel
容差
20%
JESD-609代码
e3
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最高工作温度
125°C
最小工作温度
-55°C
HTS代码
8532.21.00.50
电容量
6.8μF
包装方式
TR, EMBOSSED PLASTIC, 7 INCH
深度
4.3mm
电容式
钽电容器
ESR(等效串联电阻)
1.3Ohm
极性
Polar
额定(DC)电压(URdc)
35V
尺寸代码
2917
泄漏电流
0.0023mA
三角形
0.06
耗散因数
6 %
高度
2.8mm
长度
7.3mm
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
TCSCN1V685MDAR拓展信息
Samsung Electro-Mechanics
Samsung Electro-Mechanics
Samsung Electro-Mechanics
Samsung LED
Samsung Electro-Mechanics
Samsung Electro-Mechanics
Samsung Electro-Mechanics
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