Samsung Semiconductor TCSCS1V226KDAR
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TCSCS1V226KDAR
2107-TCSCS1V226KDAR
钽电容器
Molded
大陆
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Cap Tant Solid 22uF 35V D CASE 10% (7.3 X 4.3 X 2.8mm) SMD 7343-31 0.9 Ohm 125C T/R
1最小包装量--
TCSCS1V226KDAR详情
Samsung Semiconductor TCSCS1V226KDAR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
24 Weeks
底架
表面贴装
包装/外壳
Molded
已出版
2011
容差
10%
零件状态
Discontinued
终端
SMD/SMT
最高工作温度
125°C
最小工作温度
-55°C
电容量
22μF
深度
4.3mm
ESR(等效串联电阻)
900mOhm
极性
Polar
电压
35V
耗散因数
8 %
漏电流
7.7μA
高度
2.8mm
长度
7.3mm
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
TCSCS1V226KDAR拓展信息
Samsung Electro-Mechanics
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Samsung LED
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