SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC K4R271669F-TCS8
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K4R271669F-TCS8
2107-K4R271669F-TCS8
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K4R271669F-TCS8详情
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC K4R271669F-TCS8重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
54
无铅代码
yes
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
端子间距
1.27mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PBGA-B54
资历状况
不合格
电源
1.8/2.52.5V
时钟频率
800MHz
组织结构
8MX16
输出特性
3-STATE
内存宽度
16
记忆密度
134217728 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
RAMBUS DRAM
刷新周期
16384
RoHS状态
符合RoHS标准
达到SVHC
compliant
K4R271669F-TCS8拓展信息







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