SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC K4R761869A-GCT9

表面安装

YES

终端数量

92

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

端子表面处理

锡银铜

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

端子间距

0.8mm

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

JESD-30代码

R-PBGA-B92

资历状况

不合格

电源

1.8/2.52.5V

组织结构

32MX18

输出特性

3-STATE

内存宽度

18

记忆密度

603979776 bit

访问时间（最大）

32 ns

I/O类型

COMMON

内存IC类型

RAMBUS DRAM

RoHS状态

符合RoHS标准