SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC K5L5628JBM-DH18
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K5L5628JBM-DH18
2107-K5L5628JBM-DH18
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K5L5628JBM-DH18详情
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC K5L5628JBM-DH18重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
115
Operating Temperature (Max.)
85°C
Operating Temperature (Min.)
-30°C
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
端子间距
0.8mm
JESD-30代码
R-PBGA-B115
资历状况
不合格
电源
1.82.5V
温度等级
OTHER
电源电流-最大值
0.07mA
待机电流-最大值
0.00007A
访问时间(最大)
88.5 ns
内存IC类型
存储器电路
混合内存类型
FLASH+PSRAM
RoHS状态
符合RoHS标准
K5L5628JBM-DH18拓展信息







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