SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC KM41464AP-12
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KM41464AP-12
2107-KM41464AP-12
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KM41464AP-12详情
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC KM41464AP-12重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
18
Operating Temperature (Max.)
70°C
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子位置
DUAL
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
电源电压
5V
端子间距
2.54mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
JESD-30代码
R-PDIP-T18
资历状况
不合格
电源
5V
温度等级
COMMERCIAL
电源电流-最大值
0.075mA
组织结构
64KX4
输出特性
3-STATE
内存宽度
4
记忆密度
262144 bit
访问时间(最大)
120 ns
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DRAM 模式页面
刷新周期
256
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
KM41464AP-12拓展信息







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