SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC KSH122

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

150°C

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR

极性/通道类型

NPN

最大耗散功率(Abs)

20W

集电极电流-最大值(IC)

8A

最小直流增益（hFE）

100

集电极-发射器电压-最大值

100V