SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC KSH30C-TF
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KSH30C-TF
2107-KSH30C-TF
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KSH30C-TF详情
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC KSH30C-TF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Operating Temperature (Max.)
150°C
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.29.00.95
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
PNP
转换频率
3MHz
集电极电流-最大值(IC)
1A
最小直流增益(hFE)
15
集电极-发射器电压-最大值
100V
VCEsat-最大值
0.7 V
环境耗散-最大值
15W
KSH30C-TF拓展信息







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