SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC KSP45
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KSP45
2107-KSP45
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KSP45详情
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC KSP45重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Operating Temperature (Max.)
150°C
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.21.00.95
端子位置
BOTTOM
终端形式
WIRE
JESD-30代码
O-PBCY-W3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
极性/通道类型
NPN
JEDEC-95代码
TO-92
集电极电流-最大值(IC)
0.3A
最小直流增益(hFE)
40
集电极-发射器电压-最大值
350V
VCEsat-最大值
0.75 V
集电极-基极电容-最大值
7pF
环境耗散-最大值
1.5W
KSP45拓展信息







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