SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC SGL60N90DG3

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

150°C

附加功能

高速开关

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-264

接通时间

320 ns

集电极电流-最大值(IC)

60A

关断时间-标准值（toff)

450 ns

集电极-发射器电压-最大值

900V