SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC SGP6N60UFD

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

150°C

附加功能

高速开关

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

晶体管应用

MOTOR CONTROL

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-220

最大耗散功率(Abs)

30W

接通时间

37 ns

集电极电流-最大值(IC)

6A

关断时间-标准值（toff)

120 ns

集电极-发射器电压-最大值

600V

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

7.5V

最大下降时间 (tf)

280ns