SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC SSH9N80A

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

150°C

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

9A

漏极-源极导通最大电阻

1.3Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

36A

DS 击穿电压-最小值

800V

雪崩能量等级（Eas）

432 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

240W

反馈上限-最大值 (Crss)

95 pF

关断时间-最大值（toff)

330ns

接通时间-最大值(ton)

145ns

环境耗散-最大值

240W