Samtec IDD-03-G

底架

Chassis Mount, Screw

触点镀层

Gold

引脚数

4

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30 V

Number of Elements

1

RoHS

Non-Compliant

Contact Materials

Copper

包装

Bulk

终端

IDC

最高工作温度

80 °C

最小工作温度

-40 °C

行数

2

性别

Receptacle

接头数量

6

输出类型

Phototransistor

功率耗散

100 mW

正向电流

40 mA

正向电压

1.7 V

集电极发射器电压(VCEO)

30 V

最大集电极电流

25 mA

感应距离

3.7846 mm

反向击穿电压

2 V

反向电压

2 V

波长

890 nm

达到SVHC

无SVHC