Sanken 2SK2663

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

2SK2663

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO LTD

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Risk Rank

5.91

Drain Current-Max (ID)

1 A

Moisture Sensitivity Levels

2

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Turn-off Time-Max (toff)

85 ns

Turn-on Time-Max (ton)

18 ns

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

雪崩 额定

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

1 A

漏极-源极导通最大电阻

14 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

2 A

DS 击穿电压-最小值

900 V

雪崩能量等级（Eas）

10 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

10 W

环境耗散-最大值

10 W