MCH6627-TL-E
MCH6627-TL-E

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

价格梯度

内地含税价

  • 1

    ¥1.926162

  • 10

    ¥1.817136

  • 100

    ¥1.714282

  • 500

    ¥1.617245

  • 1000

    ¥1.525701

Sanyo MCH6627-TL-E

  • 收藏
  • 对比

型号

MCH6627-TL-E

品牌

Sanyo

utmel 编号

2121-MCH6627-TL-E

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MCH6627-TL-E datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Sanyo stock available at utmel

起订量

--最小包装量--

单价:

总价:

添加到询价列表
MCH6627-TL-E
MCH6627-TL-E Sanyo

单价: $

合计:

库存:890664

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

MCH6627-TL-E详情

Sanyo MCH6627-TL-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    6

  • RoHS

    Non-Compliant

  • Package

    Bulk

  • 厂商

    Sanyo

  • Product Status

    活跃

  • Package Description

    ,

  • Moisture Sensitivity Levels

    1

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    MCH6627-TL-E

  • Manufacturer

    安森美半导体

  • Part Life Cycle Code

    生命周期结束

  • Ihs Manufacturer

    ON SEMICONDUCTOR

  • Risk Rank

    5.58

  • 系列

    *

  • JESD-609代码

    e6

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin/Bismuth (Sn/Bi)

  • 子类别

    其他晶体管

  • Reach合规守则

    compliant

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率耗散

    800 mW

  • 漏源电压 (Vdss)

    30 V

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL AND P-CHANNEL

  • 连续放电电流(ID)

    1 A

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    1.4 A

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    0.8 W

0个相似型号

MCH6627-TL-E拓展信息

2SK4073LS
2SK4073LS

Sanyo Semiconductor

MCH3427-TL-E
MCH3427-TL-E

Sanyo Semiconductor

ECH8305-TL-E
ECH8305-TL-E

Sanyo Semiconductor

2SK1447LS
2SK1447LS

Sanyo

2SJ320
2SJ320

Sanyo

2SK4121LS
2SK4121LS

Sanyo

2SK2625ALS
2SK2625ALS

Sanyo Semiconductor

2SK1413
2SK1413

Sanyo

2SK2379
2SK2379

Sanyo Semiconductor

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z