SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD 2SK536-TB
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2SK536-TB
2121-2SK536-TB
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2SK536-TB详情
SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD 2SK536-TB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
端子表面处理
未说明
附加功能
低噪音
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-236
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.1A
DS 击穿电压-最小值
50V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
2SK536-TB拓展信息







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