EMB21A03G详情
Schneider EMB21A03G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-55 °C
Manufacturer Part Number
EMB21A03G
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Excelliance MOS Corporation
Number of Elements
2
Part Life Cycle Code
接触制造商
Ihs Manufacturer
EXCELLIANCE MOS CORP
Risk Rank
5.76
Drain Current-Max (ID)
7.5 A
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PDSO-G8
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.021 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
30 A
DS 击穿电压-最小值
30 V
雪崩能量等级(Eas)
2.8 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
EMB21A03G拓展信息








哦! 它是空的。