CAB102C4O详情
Seeed CAB102C4O重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
底座安装
引脚数
4
Collector-Emitter Breakdown Voltage
30 V
RoHS
Compliant
包装
Bulk
最高工作温度
85 °C
最小工作温度
-40 °C
输出配置
Phototransistor
最大集电极电流
30 mA
感应距离
3.175 mm
0个相似型号
CAB102C4O拓展信息
CAB102C4O详情
Seeed CAB102C4O重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
底架
底座安装
引脚数
4
Collector-Emitter Breakdown Voltage
30 V
RoHS
Compliant
包装
Bulk
最高工作温度
85 °C
最小工作温度
-40 °C
输出配置
Phototransistor
最大集电极电流
30 mA
感应距离
3.175 mm
CAB102C4O拓展信息