BUZ90详情
Seme LAB BUZ90重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
通孔
包装/外壳
Radial - 3 Leads
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Lead Free Status / RoHS Status
--
Voltage Rated
35V
Lifetime @ Temp.
1000 Hrs @ 85°C
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
BUZ90
Turn-on Time-Max (ton)
105 ns
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Siemens
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
西门子 A G
Turn-off Time-Max (toff)
240 ns
Risk Rank
3.98
Part Package Code
SFM
Drain Current-Max (ID)
4.5 A
操作温度
-55°C ~ 125°C
系列
TANTALEX®, 299D
包装
Tape & Reel (TR)
尺寸/尺寸
0.280 L x 0.200 W (7.10mm x 5.08mm)
容差
±20%
JESD-609代码
e0
零件状态
活跃
类型
共形涂层
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
电容量
2.2µF
子类别
FET 通用电源
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
ESR(等效串联电阻)
--
失败率
--
引线间距
--
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
制造商的尺寸代码
B
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-220AB
最大漏极电流 (Abs) (ID)
4 A
漏极-源极导通最大电阻
1.6 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
18 A
DS 击穿电压-最小值
600 V
雪崩能量等级(Eas)
320 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
75 W
反馈上限-最大值 (Crss)
70 pF
环境耗散-最大值
75 W
特征
通用型
座位高度(最大)
0.360 (9.14mm)
评级结果
--
BUZ90拓展信息








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