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技术文档

SEMIKRON SK13BGB123F

Name: SK13BGB123F
Brand: SEMIKRON
SKU: 2163-SK13BGB123F
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

型号

SK13BGB123F

品牌

utmel 编号

2163-SK13BGB123F

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Insulated Gate Bipolar Transistor, 33A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, CASE T23, 28 PIN

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SK13BGB123F SEMIKRON Insulated Gate Bipolar Transistor, 33A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, CASE T23, 28 PIN

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SK13BGB123F详情

技术参数

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SEMIKRON SK13BGB123F重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

NO
终端数量

9
晶体管元件材料

SILICON
Rohs Code

有
Part Life Cycle Code

Obsolete
Ihs Manufacturer

SEMIKRON INTERNATIONAL
Package Description

FLANGE MOUNT, R-XUFM-P9
Manufacturer Package Code

CASE T23
Number of Elements

2
Operating Temperature-Max

150 °C
Package Body Material

UNSPECIFIED
Package Shape

RECTANGULAR
Package Style

FLANGE MOUNT
Turn-off Time-Nom (toff)

465 ns
Turn-on Time-Nom (ton)

165 ns
JESD-609代码

e2
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

锡银
端子位置

UPPER
终端形式

PIN/PEG
Reach合规守则

compliant
引脚数量

28
参考标准

UL 认证
JESD-30代码

R-XUFM-P9
资历状况

不合格
配置

SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND SINGLE PHASE DIODE BRIDGE
箱体转运

ISOLATED
晶体管应用

电源控制
极性/通道类型

N-CHANNEL
集电极电流-最大值(IC)

33 A
集电极-发射器电压-最大值

1200 V
栅极-发射极电压-最大值

20 V
VCEsat-最大值

3 V

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