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Semikron SK30GB123
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SK30GB123
2163-SK30GB123
分立半导体产品
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 33A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, CASE T8, SEMITOP 2, 5 PIN
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SK30GB123 Semikron Insulated Gate Bipolar Transistor, 33A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, CASE T8, SEMITOP 2, 5 PIN
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SK30GB123详情
Semikron SK30GB123重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
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Collector-Emitter Breakdown Voltage
1.2 kV
Voltage Rating (DC)
1.2 kV
RoHS
Non-Compliant
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SK30GB123拓展信息
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