GPA030A135MN-FDR
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SemiQ GPA030A135MN-FDR

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型号

GPA030A135MN-FDR

品牌

SemiQ

utmel 编号

2165-GPA030A135MN-FDR

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

TO-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IGBT 1350V 60A 329W TO3PN

起订量

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GPA030A135MN-FDR
GPA030A135MN-FDR SemiQ IGBT 1350V 60A 329W TO3PN

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GPA030A135MN-FDR详情

SemiQ GPA030A135MN-FDR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 包装/外壳

    TO-3

  • 安装类型

    通孔

  • 供应商器件包装

    TO-3PN

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    60A

  • Test Conditions

    600V, 30A, 5Ohm, 15V

  • 包装

    Tube

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 输入类型

    Standard

  • 功率 - 最大

    329W

  • 反向恢复时间

    450ns

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    1350V

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

    2.4V @ 15V, 30A

  • IGBT类型

    沟渠现场停车

  • 闸门收费

    300nC

  • 集极脉冲电流(Icm)

    90A

  • Td(开/关)@25°C

    30ns/145ns

  • 开关能量

    4.4mJ (on), 1.18mJ (off)

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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GPA030A135MN-FDR拓展信息

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