Sharp Microelectronics LH5116-10F
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LH5116-10F
2201-LH5116-10F
存储器
24-DIP (0.600, 15.24mm)
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IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP
--最小包装量--
LH5116-10F详情
Sharp Microelectronics LH5116-10F重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
24-DIP (0.600, 15.24mm)
供应商器件包装
24-DIP
Memory Types
Volatile
操作温度
0°C~70°C TA
包装
Tube
已出版
1997
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
70°C
最小工作温度
0°C
电压 - 供电
4.5V~5.5V
频率
100GHz
界面
Parallel
内存大小
16Kb 2K x 8
访问时间
100ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
写入周期时间 - 字符、页面
100ns
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
LH5116-10F拓展信息
Sharp Microelectronics
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