Sharp Microelectronics PC817X1J000F

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

4-DIP (0.300, 7.62mm)

引脚数

4

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80V

Collector-Emitter Saturation Voltage

200mV

Current Transfer Ratio-Min

80% @ 5mA

Number of Elements

1

操作温度

-30°C~100°C

包装

Tube

已出版

2005

JESD-609代码

e6

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

端子表面处理

Tin/Bismuth (Sn/Bi)

附加功能

UL 认证

最大功率耗散

200mW

电压-隔离度

5000Vrms

输出电压

80V

输出类型

Transistor

配置

SINGLE

通道数量

1

功率耗散

200mW

电压 - 正向 (Vf) (类型)

1.2V

输入类型

DC

正向电流

50mA

每个通道的输出电流

50mA

上升时间

18μs

下降时间（典型值）

18 μs

集电极发射器电压(VCEO)

80V

最大集电极电流

50mA

上升/下降时间(Typ)

4μs 3μs

反向击穿电压

6V

最大输入电流

50mA

输入电流

20mA

电流传输比（最大）

160% @ 5mA

Vce 饱和度（最大值）

200mV

宽度

6.5mm

达到SVHC

Unknown

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅