Shindengen 2SK2182
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2SK2182
2227-2SK2182
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Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 500V, 2.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, FTO-220, 3 PIN
1最小包装量--
2SK2182详情
Shindengen 2SK2182重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style
FLANGE MOUNT
Moisture Sensitivity Levels
2
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
2SK2182
Turn-on Time-Max (ton)
45 ns
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Shindengen Electronic Manufacturing Co Ltd
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO LTD
Turn-off Time-Max (toff)
90 ns
Risk Rank
8.78
Part Package Code
TO-220AB
Drain Current-Max (ID)
3 A
JESD-609代码
e0
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
子类别
FET 通用电源
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
240
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-220AB
最大漏极电流 (Abs) (ID)
3 A
漏极-源极导通最大电阻
2.3 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
9 A
DS 击穿电压-最小值
500 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
25 W
环境耗散-最大值
25 W
2SK2182拓展信息







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