3N217详情
SICK 3N217重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
3N217
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
Texas INC
Risk Rank
5.84
Drain Current-Max (ID)
0.05 A
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
200 °C
Package Body Material
METAL
Package Shape
ROUND
Package Style
CYLINDRICAL
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.21.00.95
端子位置
BOTTOM
终端形式
WIRE
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
O-MBCY-W4
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
DEPLETION MODE
箱体转运
SUBSTRATE
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-72
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.05 A
漏极-源极导通最大电阻
70 Ω
DS 击穿电压-最小值
20 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
0.36 W
反馈上限-最大值 (Crss)
2 pF
3N217拓展信息
SICK
SICK
SICK
SICK
SICK
SICK
SICK
SICK
SICK
SICK








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