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Siemens BSM150GAL120DN2E3166
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BSM150GAL120DN2E3166
2239-BSM150GAL120DN2E3166
晶体管 - IGBT - 单个
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大陆
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Description: Insulated Gate Bipolar Transistor, 210A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
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BSM150GAL120DN2E3166详情
Siemens BSM150GAL120DN2E3166重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
7
晶体管元件材料
SILICON
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
西门子 A G
Package Description
FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
Number of Elements
1
Package Body Material
UNSPECIFIED
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
Turn-off Time-Nom (toff)
670 ns
Turn-on Time-Nom (ton)
300 ns
ECCN 代码
EAR99
附加功能
FAST
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-XUFM-X7
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
通用开关
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极电流-最大值(IC)
210 A
集电极-发射器电压-最大值
1200 V
BSM150GAL120DN2E3166拓展信息
哦! 它是空的。