Siemens BUZ111SLE3045A

安装类型

表面贴装

包装/外壳

1932-BBGA, FCBGA

表面安装

YES

供应商器件包装

1932-FBGA, FC (45x45)

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Number of I/Os

840

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

80A

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

-

厂商

Siemens

Power Dissipation (Max)

300W

Product Status

Obsolete

Drain Current-Max (ID)

80 A

Part Package Code

D2PAK

Risk Rank

5.77

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Part Life Cycle Code

Obsolete

Number of Elements

1

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer Part Number

BUZ111SLE3045A

Rohs Code

无

Operating Temperature-Max

175 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Style

小概要

Package Description

PLASTIC, TO-263, 3 PIN

操作温度

0°C ~ 85°C (TJ)

系列

Stratix® V GX

JESD-609代码

e0

零件状态

活跃

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE

子类别

FET 通用电源

技术

MOSFET (Metal Oxide)

电压 - 供电

0.82 V ~ 0.88 V

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

基本部件号

5SGXEA5

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

-

漏源电压 (Vdss)

50 V

Vgs（最大值）

-

极性/通道类型

N-CHANNEL

逻辑元件/单元数

490000

JEDEC-95代码

TO-263AB

总 RAM 位数

53105664

LABs数量/ CLBs数量

185000

最大漏极电流 (Abs) (ID)

80 A

漏极-源极导通最大电阻

0.01 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

320 A

DS 击穿电压-最小值

55 V

雪崩能量等级（Eas）

700 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

300 W

场效应管特性

-