HYB514256B-80详情
Siemens HYB514256B-80重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
20
Package Style
IN-LINE
Number of Words Code
256000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
DIP20,.3
Access Time-Max
80 ns
Operating Temperature-Max
70 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
HYB514256B-80
Number of Words
262144 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Package Code
DIP
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Infineon Technologies AG
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank
5.91
JESD-609代码
e0
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
子类别
DRAMs
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
THROUGH-HOLE
端子间距
2.54 mm
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PDIP-T20
资历状况
不合格
电源
5 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电流-最大值
0.07 mA
组织结构
256KX4
输出特性
3-STATE
内存宽度
4
待机电流-最大值
0.001 A
记忆密度
1048576 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
快速页面 DRAM
刷新周期
512
HYB514256B-80拓展信息








哦! 它是空的。