SIEMENS A G BSS84E-6327
- 收藏
- 对比
BSS84E-6327
2239-BSS84E-6327
无类别的
--
大陆
立即发货

BSS84E-6327 datasheet pdf and Unclassified product details from SIEMENS A G stock available at utmel
1最小包装量--
BSS84E-6327详情
SIEMENS A G BSS84E-6327重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
端子表面处理
未说明
端子位置
BOTTOM
终端形式
鸥翼
引脚数量
3
JESD-30代码
O-PBCY-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
极性/通道类型
P-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.13A
漏极-源极导通最大电阻
10Ohm
DS 击穿电压-最小值
50V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
BSS84E-6327拓展信息







哦! 它是空的。